首页
生知快讯
技术天地
技术新突破
期刊应用实例
技术发展方向
文献视角
Biomarker研究
行业速报
行业新资讯
上下游动态
产业新趋势
文献园地
文献库
期刊库
文献重点解析
登录/注册
首页
>
期刊库
>
期刊详情
Proc IEEE Inst Electr Electron Eng
收藏
期刊全称
Proc IEEE Inst Electr Electron Eng
注:上述信息均来源于网络,仅供查考,如有遗漏或信息错误,欢迎
向我反馈
。
期刊相关文献 (5)
Vector Symbolic Architectures as a Computing Framework for Emerging Hardware
矢量符号架构作为新兴硬件的计算框架
期刊:
Proc IEEE Inst Electr Electron Eng
影响因子:
doi:
Denis Kleyko, Mike Davies, E Paxon Frady, Pentti Kanerva, Spencer J Kent, Bruno A Olshausen, Evgeny Osipov, Jan M Rabaey, Dmitri A Rachkovskij, Abbas Rahimi, Friedrich T Sommer
信号转导
Six-Sigma Quality Management of Additive Manufacturing.
期刊:
Proc IEEE Inst Electr Electron Eng
影响因子:
0.000
doi:
10.1109/JPROC.2020.3034519
Yang Hui, Rao Prahalad, Simpson Timothy, Lu Yan, Witherell Paul, Nassar Abdalla R, Reutzel Edward, Kumara Soundar
Short Read Mapping: An Algorithmic Tour.
期刊:
Proc IEEE Inst Electr Electron Eng
影响因子:
0.000
doi:
10.1109/JPROC.2015.2455551
Canzar Stefan, Salzberg Steven L
A Study of the Boltzmann Sequence-Structure Channel.
期刊:
Proc IEEE Inst Electr Electron Eng
影响因子:
0.000
doi:
10.1109/JPROC.2016.2608797
Magner Abram, Kihara Daisuke, Szpankowski Wojciech
Review: Semiconductor Piezoresistance for Microsystems.
综述:微系统中的半导体压阻效应
期刊:
Proc IEEE Inst Electr Electron Eng
影响因子:
0.000
doi:
10.1109/JPROC.2009.2013612
Barlian A Alvin, Park Woo-Tae, Mallon Joseph R Jr, Rastegar Ali J, Pruitt Beth L
1