Correction: Switching performance assessment of gate-all-around InAs-Si vertical TFET with triple metal gate, a simulation study
更正：具有三层金属栅的环栅InAs-Si垂直TFET的开关性能评估：一项仿真研究
阅读：1
| 期刊： | Discover Nano | 影响因子： | 4.500 |
| 时间： | 2024 | 起止号： | 2024 Feb 12;19(1):26 |
| doi： | 10.1186/s11671-024-03968-z | ||
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