Abstract
Ultra-low loss silicon nitride realized using deuterated precursors and low thermal budgets well within backend-of-line CMOS processing may accelerate widespread proliferation of their use.
Ultra-low loss silicon nitride becomes even cooler
超低损耗氮化硅变得更冷了
阅读：1
| 期刊： | Light-Science & Applications | 影响因子： | 23.400 |
| 时间： | 2024 | 起止号： | 2024 Sep 5;13(1):233 |
| doi： | 10.1038/s41377-024-01576-1 | ||
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