Abstract
As this research is a personal achievement with no company-related information, and there is no financial support for this paper from Qualcomm Technologies Inc [...].
Correction: Park, J.; et al. Fine-Grained Power Gating Using an MRAM-CMOS Non-Volatile Flip-Flop. Micromachines 2019, 10, 411
更正：Park, J. 等人。使用 MRAM-CMOS 非易失性触发器的精细电源门控。Micromachines 2019, 10, 411
阅读：1
| 期刊： | Micromachines | 影响因子： | 3.000 |
| 时间： | 2019 | 起止号： | 2019 Dec 19;11(1) |
| doi： | 10.3390/mi11010011 | ||
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