Correction to "First-Principles Assessment of CdTe as a Tunnel Barrier at the α-Sn/InSb Interface"

更正“CdTe 作为 α-Sn/InSb 界面隧道势垒的第一性原理评估”

阅读：11
作者：Malcolm J A Jardine, Derek Dardzinski, Maituo Yu, Amrita Purkayastha, An-Hsi Chen, Yu-Hao Chang, Aaron Engel, Vladimir N Strocov, Moïra Hocevar, Chris Palmstrøm, Sergey M Frolov, Noa Marom
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces影响因子：8.300
时间：2023起止号：2023 Jun 28;15(25):31100-31101.
doi：10.1021/acsami.3c07924

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