Impact of the Schottky Barrier and Contact-Induced Strain Variations inside the Channel on the Electrical Behavior of Monolayer MoS(2) Transistors
肖特基势垒和沟道内接触诱导应变变化对单层MoS(2)晶体管电学性能的影响
期刊:Small Science
影响因子:8.3
doi:10.1002/smsc.202500244
Panasci, Salvatore Ethan; Schilirò, Emanuela; Greco, Giuseppe; Fiorenza, Patrick; Vivona, Marilena; Di Franco, Salvatore; Roccaforte, Fabrizio; Esposito, Fiorenza; Bosi, Matteo; Attolini, Giovanni; Píš, Igor; Bondino, Federica; Pedio, Maddalena; Madonia, Antonino; Cannas, Marco; Agnello, Simonpietro; Seravalli, Luca; Giannazzo, Filippo
