Metal-Assisted Chemical Etching of p‑type Si Nanopillars with Doping Level of 10(20) cm(-3)
金属辅助化学刻蚀掺杂浓度为 10(20) cm(-3) 的 p 型硅纳米柱
期刊:ACS Applied Electronic Materials
影响因子:4.7
doi:10.1021/acsaelm.5c02158
Giulio, Federico; Calciati, Luca; Santamaria, Riccardo; Bonaventura, Eleonora; Acciarri, Maurizio; Bonera, Emiliano; Narducci, Dario