日期 影响因子
日期:
2020 年 — 2026 年
2020
2021
2022
2023
2024
2025
2026
影响因子:
–

150-200 V Split-Gate Trench Power MOSFETs with Multiple Epitaxial Layers

具有多层外延层的150-200V分栅沟槽功率MOSFET

期刊:Micromachines
影响因子:3
doi:10.3390/mi11050504
Chien, Feng-Tso; Wang, Zhi-Zhe; Lin, Cheng-Li; Kang, Tsung-Kuei; Chen, Chii-Wen; Chiu, Hsien-Chin
发表日期：2020
文献求助 收藏