Positive Bias Temperature Instability in SiC-Based Power MOSFETs
基于碳化硅的功率MOSFET的正偏压温度不稳定性
期刊:Micromachines
影响因子:3
doi:10.3390/mi15070872
Volosov, Vladislav; Bevilacqua, Santina; Anoldo, Laura; Tosto, Giuseppe; Fontana, Enzo; Russo, Alfio-Lip; Fiegna, Claudio; Sangiorgi, Enrico; Tallarico, Andrea Natale