GaN metal-organic vapor phase epitaxy on Sc(2)O(3)/Si templates for group III-nitride monolithic integration to Si technology
在Sc(2)O(3)/Si模板上进行GaN金属有机化学气相外延生长，用于将III族氮化物单片集成到Si技术中
期刊:Scientific Reports
影响因子:3.9
doi:10.1038/s41598-025-12904-9
Grinys, Tomas; Kadys, Arūnas; Malinauskas, Tadas; Lapukas, Petras; Podlipskas, Žydrūnas; Gudaitis, Rimantas; Meškinis, Šarūnas
