日期 影响因子
日期:
2020 年 — 2026 年
2020
2021
2022
2023
2024
2025
2026
影响因子:
–

Electronic structure calculations on gallium-vacancy defects in Si(1-x)Ge(x)

Si(1-x)Ge(x)中镓空位缺陷的电子结构计算

期刊:Scientific Reports
影响因子:3.9
doi:10.1038/s41598-025-25115-z
Christopoulos, Stavros-Richard G; Igumbor, Emmanuel; Mapasha, Edwin; Chroneos, Alexander
发表日期：2025
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First principle study of ATiO3 (A=Ti,Sr) materials for photovoltaic applications

基于第一性原理的ATiO3（A=Ti,Sr）材料在光伏应用中的研究

期刊:Journal of Molecular Modeling
影响因子:2.5
doi:10.1007/s00894-023-05823-x
Allan, Lynet; Mulwa, Winfred M; Mapasha, R E; Mwabora, Julius M; Musembi, Robinson J
发表日期：2024
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An ab-initio study of P-type ZrCoY (Y[bond, double bond]Sb and Bi) half - Heusler semiconductors

对 P 型 ZrCoY (Y[键，双键]Sb 和 Bi) 半 Heusler 半导体的第一性原理研究

期刊:Heliyon
影响因子:3.6
doi:10.1016/j.heliyon.2023.e18531
Allan, Lynet; Mulwa, Winfred M; Mwabora, Julius M; Musembi, Robinson J; Mapasha, R E
发表日期：2023
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