日期:
2020 年 — 2026 年
2020
2021
2022
2023
2024
2025
2026
影响因子:

Electrical activity at the AlN/Si Interface: identifying the main origin of propagation losses in GaN-on-Si devices at microwave frequencies

AlN/Si 界面处的电活动:确定微波频率下 GaN-on-Si 器件中传播损耗的主要来源

Micka Bah, Damien Valente, Marie Lesecq, Nicolas Defrance, Maxime Garcia Barros, Jean-Claude De Jaeger, Eric Frayssinet, Rémi Comyn, Thi Huong Ngo, Daniel Alquier, Yvon Cordier