日期 影响因子
日期:
2020 年 — 2026 年
2020
2021
2022
2023
2024
2025
2026
影响因子:
–

A Synchrotron Radiation Photoemission Study of SiGe(001)-2×1 Grown on Ge and Si Substrates: The Surface Electronic Structure for Various Ge Concentrations

利用同步辐射光电子能谱研究生长在Ge和Si衬底上的SiGe(001)-2×1：不同Ge浓度下的表面电子结构

期刊:Nanomaterials
影响因子:4.3
doi:10.3390/nano12081309
Cheng, Yi-Ting; Wan, Hsien-Wen; Kwo, Jueinai; Hong, Minghwei; Pi, Tun-Wen
发表日期：2022
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Epitaxy from a Periodic Y-O Monolayer: Growth of Single-Crystal Hexagonal YAlO(3) Perovskite

从周期性YO单层进行外延生长：单晶六方YAlO(3)钙钛矿的生长

期刊:Nanomaterials
影响因子:4.3
doi:10.3390/nano10081515
Hong, Minghwei; Cheng, Chao-Kai; Lin, Yen-Hsun; Young, Lawrence Boyu; Cai, Ren-Fong; Hsu, Chia-Hung; Wu, Chien-Ting; Kwo, Jueinai
发表日期：2020
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Microscopic Views of Atomic and Molecular Oxygen Bonding with epi Ge(001)-2 × 1 Studied by High-Resolution Synchrotron Radiation Photoemission

利用高分辨率同步辐射光电子能谱研究原子和分子氧与外延Ge(001)-2×1的键合微观结构

期刊:Nanomaterials
影响因子:4.3
doi:10.3390/nano9040554
Cheng, Yi-Ting; Wan, Hsien-Wen; Cheng, Chiu-Ping; Kwo, Jueinai; Hong, Minghwei; Pi, Tun-Wen
发表日期：2019
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Atomic Nature of the Growth Mechanism of Atomic Layer Deposited High-κ Y(2)O(3) on GaAs(001)-4 × 6 Based on in Situ Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy

基于原位同步辐射光电子能谱的原子层沉积高κ Y(2)O(3)在GaAs(001)-4 × 6上的生长机制的原子性质

期刊:ACS Omega
影响因子:4.3
doi:10.1021/acsomega.7b01564
Cheng, Chiu-Ping; Chen, Wan-Sin; Cheng, Yi-Ting; Wan, Hsien-Wen; Yang, Cheng-Yeh; Pi, Tun-Wen; Kwo, Jueinai; Hong, Minghwei
发表日期：2018
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Atom-to-atom interactions for atomic layer deposition of trimethylaluminum on Ga-rich GaAs(001)-4 × 6 and As-rich GaAs(001)-2 × 4 surfaces: a synchrotron radiation photoemission study

三甲基铝在富镓GaAs(001)-4×6和富砷GaAs(001)-2×4表面上的原子层沉积过程中原子间的相互作用：同步辐射光电子能谱研究

期刊:Nanoscale Research Letters
影响因子:
doi:10.1186/1556-276X-8-169
Pi, Tun-Wen; Lin, Hsiao-Yu; Liu, Ya-Ting; Lin, Tsung-Da; Wertheim, Gunther K; Kwo, Jueinai; Hong, Minghwei
发表日期：2013
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