日期 影响因子
日期:
2020 年 — 2026 年
2020
2021
2022
2023
2024
2025
2026
影响因子:
–

High Performance Multiple Inversion Layer Selective Buried Triple Gate Vertical Trench Power MOSFET

高性能多反型层选择性埋入式三栅垂直沟槽功率MOSFET

期刊:Scientific Reports
影响因子:3.9
doi:10.1038/s41598-025-27283-4
Lodhi, M Ejaz Aslam; Loan, Sajad A; Ansari, Abdul Quaiyum; Urooj, Shabana; Napte, Kiran
发表日期：2025
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A method for IoT devices test case generation using language models

一种利用语言模型生成物联网设备测试用例的方法

期刊:MethodsX
影响因子:1.9
doi:10.1016/j.mex.2025.103340
Kumar, Sumit; Napte, Kiran; Rani, Ruchi; Pippal, Sanjeev Kumar
发表日期：2025
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Endodontic management of maxillary first molar with seven root canals diagnosed using Cone Beam Computed Tomography scanning

采用锥形束计算机断层扫描诊断上颌第一磨牙七个根管的根管治疗

期刊:
影响因子:
doi:10.4103/0975-962X.140837
Raghavendra, Srinidhi Surya; Hindlekar, Ajit Narayan; Desai, Niranjan Nanasaheb; Vyavahare, Nishant Kishor; Napte, Bandu Devrao
发表日期：2014
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