日期 影响因子
日期:
2020 年 — 2026 年
2020
2021
2022
2023
2024
2025
2026
影响因子:
–

GaN metal-organic vapor phase epitaxy on Sc(2)O(3)/Si templates for group III-nitride monolithic integration to Si technology

在Sc(2)O(3)/Si模板上进行GaN金属有机化学气相外延生长，用于将III族氮化物单片集成到Si技术中

期刊:Scientific Reports
影响因子:3.9
doi:10.1038/s41598-025-12904-9
Grinys, Tomas; Kadys, Arūnas; Malinauskas, Tadas; Lapukas, Petras; Podlipskas, Žydrūnas; Gudaitis, Rimantas; Meškinis, Šarūnas
发表日期：2025
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Direct Auger recombination and density-dependent hole diffusion in InN

InN中的直接俄歇复合和密度相关的空穴扩散

期刊:Scientific Reports
影响因子:3.9
doi:10.1038/s41598-018-22832-6
Aleksiejūnas, Ramūnas; Podlipskas, Žydrūnas; Nargelas, Saulius; Kadys, Arūnas; Kolenda, Marek; Nomeika, Kazimieras; Mickevičius, Jūras; Tamulaitis, Gintautas
发表日期：2018
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