Correction: Selective area growth of GaN nanowires and nanofins by molecular beam epitaxy on heteroepitaxial diamond (001) substrates

更正：通过分子束外延在异质外延金刚石（001）衬底上选择性区域生长GaN纳米线和纳米鳍

阅读：2
作者：Pantle,Florian,Becker,Fabian,Kraut,Max,Wörle,Simon,Hoffmann,Theresa,Artmeier,Sabrina,Stutzmann,Martin
期刊：Nanoscale Advances影响因子：4.600
时间：2023起止号：2023 Mar 28;5(7):2119
doi：10.1039/d3na90031b

Abstract

[This corrects the article DOI: 10.1039/D1NA00221J.].

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