日期 影响因子
日期:
2020 年 — 2026 年
2020
2021
2022
2023
2024
2025
2026
影响因子:
–

Reversible Modification of Rashba States in Topological Insulators at Room Temperature by Edge Functionalization

室温下通过边缘功能化实现拓扑绝缘体中Rashba态的可逆修饰

期刊:Advanced Science
影响因子:14.1
doi:10.1002/advs.202519814
Ko, Wonhee; Kang, Seoung-Hun; Lu, Qiangsheng; Chen, An-Hsi; Eres, Gyula; Lee, Ho Nyung; Kwon, Young-Kyun; Moore, Robert G; Yoon, Mina; Brahlek, Matthew
发表日期：2026
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Single-Layer Magnet Phase in Intrinsic Magnetic Topological Insulators, [MnTe][Bi(2)Te(3)](n), Far beyond the Thermodynamic Limit

本征磁性拓扑绝缘体[MnTe][Bi(2)Te(3)](n)中的单层磁相，远超热力学极限

期刊:Nano Letters
影响因子:9.1
doi:10.1021/acs.nanolett.4c05860
Jain, Deepti; Yi, Hee Taek; Yao, Xiong; Mazza, Alessandro R; Chen, An-Hsi; Kisslinger, Kim; Han, Myung-Geun; Brahlek, Matthew; Oh, Seongshik
发表日期：2025
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Correction to "First-Principles Assessment of CdTe as a Tunnel Barrier at the α-Sn/InSb Interface"

更正“CdTe 作为 α-Sn/InSb 界面隧道势垒的第一性原理评估”

期刊:ACS Applied Materials & Interfaces
影响因子:8.3
doi:10.1021/acsami.3c07924
Malcolm J A Jardine, Derek Dardzinski, Maituo Yu, Amrita Purkayastha, An-Hsi Chen, Yu-Hao Chang, Aaron Engel, Vladimir N Strocov, Moïra Hocevar, Chris Palmstrøm, Sergey M Frolov, Noa Marom
发表日期：2023
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