日期 影响因子
日期:
2020 年 — 2026 年
2020
2021
2022
2023
2024
2025
2026
影响因子:
–

High-Performance Piezoelectric Micro Diaphragm Hydrogen Sensor

高性能压电微膜片氢气传感器

期刊:ACS Sensors
影响因子:9.1
doi:10.1021/acssensors.4c03069
Liu, Jihang; Ng, Doris Keh Ting; Koh, Yul; Samanta, Subhranu; Chen, Weiguo; Md Husni, Md Hazwani Khairy; Srinivas, Merugu; Zhang, Qingxin; Kai, Fuu Ming; Chang, Peter Hyun Kee; Zhu, Yao
发表日期：2025
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Resistance Switching Statistics and Mechanisms of Pt Dispersed Silicon Oxide-Based Memristors

铂分散二氧化硅基忆阻器的电阻切换统计和机制

期刊:Micromachines
影响因子:3
doi:10.3390/mi10060369
Lian, Xiaojuan; Shen, Xinyi; Lu, Liqun; He, Nan; Wan, Xiang; Samanta, Subhranu; Tong, Yi
发表日期：2019
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Understanding of multi-level resistive switching mechanism in GeO(x) through redox reaction in H(2)O(2)/sarcosine prostate cancer biomarker detection

通过H₂O₂/肌氨酸氧化还原反应理解GeOₓ中的多级电阻开关机制，并用于前列腺癌生物标志物检测

期刊:Scientific Reports
影响因子:3.9
doi:10.1038/s41598-017-11657-4
Samanta, Subhranu; Rahaman, Sheikh Ziaur; Roy, Anisha; Jana, Surajit; Chakrabarti, Somsubhra; Panja, Rajeswar; Roy, Sourav; Dutta, Mrinmoy; Ginnaram, Sreekanth; Prakash, Amit; Maikap, Siddheswar; Cheng, Hsin-Ming; Tsai, Ling-Na; Qiu, Jian-Tai; Ray, Samit K
肿瘤
前列腺癌
肿瘤免疫
发表日期：2017
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Temperature-Dependent Non-linear Resistive Switching Characteristics and Mechanism Using a New W/WO3/WOx/W Structure

利用新型W/WO3/WOx/W结构研究温度相关的非线性电阻开关特性及机制

期刊:Nanoscale Research Letters
影响因子:
doi:10.1186/s11671-016-1602-7
Chakrabarti, Somsubhra; Samanta, Subhranu; Maikap, Siddheswar; Rahaman, Sheikh Ziaur; Cheng, Hsin-Ming
发表日期：2016
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Observation of Resistive Switching Memory by Reducing Device Size in a New Cr/CrO (x) /TiO (x) /TiN Structure

通过减小器件尺寸，在新型Cr/CrO(x)/TiO(x)/TiN结构中观察到阻变存储器特性

期刊:Nano-Micro Letters
影响因子:36.3
doi:10.1007/s40820-015-0055-3
Jana, Debanjan; Samanta, Subhranu; Roy, Sourav; Lin, Yu Feng; Maikap, Siddheswar
发表日期：2015
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RRAM characteristics using a new Cr/GdOx/TiN structure

采用新型Cr/GdOx/TiN结构的RRAM特性

期刊:Nanoscale Research Letters
影响因子:
doi:10.1186/1556-276X-9-680
Jana, Debanjan; Dutta, Mrinmoy; Samanta, Subhranu; Maikap, Siddheswar
发表日期：2014
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Self-compliance-improved resistive switching using Ir/TaOx/W cross-point memory

利用 Ir/TaOx/W 交叉点存储器实现自顺性改进的电阻开关

期刊:Nanoscale Research Letters
影响因子:
doi:10.1186/1556-276X-8-527
Prakash, Amit; Jana, Debanjan; Samanta, Subhranu; Maikap, Siddheswar
发表日期：2013
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